手机内存不足怎么清理 为什么手机ROM最大只有256GB

　　虽然随着科技的进步手机的内存真正逐渐扩大，但是不少网友仍然面临手机内存不足的问题，那么手机内存究竟该如何清理呢？智能手机为何最大ROM只有256GB？

　　手机长时间使用以后就会出现手机内存空间不足的情况，这个时候就要对手机进行清理释放内存。那手机内存不足怎么清理呢？小编在文中提供三个方法给大家参考一下，解决内存不足的问题，手机使用更快！

　　方法一：清理运行程序及sd卡

　　第一步：如果SD卡的内存空间不足，就要清理一下存储在SD卡里面不常用的程序包，或者图片及视频音乐等，必要的情况下就要更换容量大一点的SD卡了

　　第二步：把手机上面的隐藏页面拉下来，会看到一键清理，点击一键清理可以把当前运行的所有程序全部关闭这样可以释放出一部分程序占用的内存空间

　　方法二：系统优化清理

　　第一步：点击程序管理，进入到系统优化页面，在系统优化页面可以点击一键清理直接清理内存

　　第二步：也可以点击正在运行，将正在运行的程序中不用的程序关闭释放出一部分空间

　　第三步：3也可以点击缓存文件，进入到缓存文件页面，点击右上角的全部清理不所有程序的缓存文件清理掉，或者直接在想要清理的程序后面点击清理，单个的清理缓存文件

　　方法三：清理使用应用程序产生的数据

　　第一步：点击手机的设置按钮进入到设置页面

　　第二步：进入到设置页面以后点击通用

　　第三步：进入到通用页面以后点击应用程序

　　第四步：进入到应用程序页面以后点击已安装

　　第五步：进入到已安装页面，看到所有的安装的程序，点击要清理的程序

　　第六步：点击要清理的程序以后看到程序信息，点击清楚数据和清楚缓存手机内存就清理好了 [!----]

　　现在的智能手机存储容量越做越大，很早之前，手机能有个8GB、16GB都称得上顶配，随着科技的进步，软件的更新速度不断加快，手机功能越来越多，用户对存储容量的需求量也越来越高。

　　特别是近几年，手机ROM更是到了疯狂的256GB（像iPhone 7 Plus、ZenFone 3尊爵、ZenFone 2 Deluxe）。

　　虽然不确定未来会不会有更高的规格，但是很明显的是256GB会持续很长一段时间。为啥会这样呢？

　　一、智能手机为何最大ROM只有256GB？

　　成本受限

　　大家都知道容量越大，成本越高。而大部分成本取决于存储介质（存储颗粒），相同容量的情况下，SLC的价格要明显高于MLC和TLC，虽然容量的提升反映在成本的具体数字上可能仅为几百一千。但考虑到手机要大规模生产，聚沙成塔这成语相信大家都懂。

　　TLC=Trinary-Level Cell，即3bit per cell，该类芯片传输速度较慢，寿命短，生产成本低。MLC=Multi-Level Cell，即2bit per cell，该类芯片传输速度一般，寿命一般。

　　至于SLC=Single-Level Cell，即1bit per cell，这类芯片几乎只出现在企业级SSD上，成本较高，当然速度和寿命也是三者中最出色的。

　　存储颗粒的三种类型

　　颗粒规格的限制

　　比较出名的三星、镁光、现代、东芝这些上游存储颗粒供应厂商，其颗粒规格现时尚未突破256GB。由于手机不像电脑那样体积庞大，供应商们通常只能把一颗存储颗粒装在小小的手机内，因此手机容量就取决于这颗存储颗粒的规格。

　　手机内部空间限制

　　手机内部空间寸金尺土，目前还无法做到两颗存储颗粒共存，早期的解决方案是插入手机内存卡（TF卡），不过为了轻薄化与传输速度，很多手机都取消了拓展内存卡的功能。但庆幸的是如今手机内置容量都比较大，正常用个2~3年不成问题。 [!----]

　　手机更换周期缩短

　　现在的智能机更新换代速度非常快，一年一换甚至一年两换的大有人在。之前中央电视台的《东方时空》栏目曾经做过调查，结果表示“52%手机用户平均一年以内换一部手机”。因此对于消费者来说，够用就好，太大也用不完。而厂商更是紧贴着用户的需求进行设计/生产。

　　大环境下云存储的发展

　　随着科技进步，网速也越来越快，而现在的4G也逐渐取代了之前的3G，未来的5G也呼之欲出，网速的不断提升就衍生了一个新的名词——云存储。

　　作为新兴的存储技术，与传统的购买存储设备和部署存储软件相比，云存储有着成本低、见效快、便于管理、方式灵活等优点，在保证数据安全的情况下，很多用户更愿意把数据存在云端，所以并不需要太多的本地存储空间。

　　二、未来发展新趋势：3D NAND

　　什么是3D NAND？

　　3D NAND的概念其实不难理解：其原理简单说来就是“堆叠”，目前由英特尔和镁光研究出了一种将它们堆叠最高32层的方法。这么一来，一个MLC的闪存芯片上就可以增加最高32GB的存储空间，如果是单个TLC闪存芯片则可增加48GB。

　　就目前来说3D NAND闪存属于一种新兴的闪存类型，通过把存储颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。

　　3D NAND技术的优点

　　3D NAND的亮点在于它采用的是立体、垂直堆叠的方式来提高单颗粒中包含芯片的数量，堆叠层数的提高最终会带来容量的成倍提升，极大的提高产品的使用寿命；3D NAND可以提供更高的指令运行效率，使产品的运行性能得以提升；简化了编程阶段，有效减少了产品待机和工作时的能耗。

　　目前，三星、SK Hynix、东芝/闪迪、Intel/镁光这几大NAND豪门都已经涉足3D NAND闪存了，而武汉新芯科技主导的国家级存储器产业基地，更是国内首家新建的12寸晶圆厂，投产后直接生产3D NAND闪存，可以说未来3D NAND就是突破移动设备ROM容量的必备技术。

　　总结：

　　科技在进步，我们永远无法预知未来，未来的手机又会发展成啥样呢？目前，小编还是建议大家购买64GB、128GB的手机更为合适，够用就好。考虑到用户需求的问题，相信之后很长一段时间也不会出超过256GB存储规格的手机。