写入速度比目前U盘快1万倍 复旦大学研发出第三类存储技术

4月13日消息，复旦大学微电子学院的团队近日研发出一种新的存储技术，既能保证超高的读写速度，又能保证断电后数据不会丢失。据团队人员介绍，基于这项技术制作的存储元器件，其写入速度将会比普通U盘快上10000倍。

而且这项技术还有比较厉害的地方，那就是能够按需对数据的存储时长进行调整。它的原理是，这种技术采用了多重二维半导体材料，只要通过对材料比例的控制，便可以控制写入速度与断电数据保留时长的比例。

以目前的情况来看，现在的存储技术有两种，一种是以内存为代表的易失性存储，速度很快，但断电后数据就没有，无法保存；另一种是以U盘为代表的非易失性存储，断电后依然能够保存数据，但缺点就是读写速度慢。

为了研发出两种性能可兼得的新型电荷存储技术，该团队创新性地选择了多重二维半导体材料，堆叠构成了半浮栅结构晶体管：二氧化钼和二硒化钨像是一道随手可关的门，电子易进难出，用于控制电荷输送；氮化硼作为绝缘层，像是一面密不透风的墙，使得电子难以进出；而二硫化铪作为存储层，用以保存数据。周鹏说，只要调节“门”和“墙”的比例，就可以实现对“写入速度”和“非易失性”的调控。

此次研发的第三代电荷存储技术，写入速度比目前U盘快1万倍，数据刷新时间是内存技术的156倍，并且拥有卓越的调控性，可以实现按需“裁剪”数据10秒至10年的保存周期。这种全新特性不仅可以极大降低高速内存的存储功耗，同时还可以实现数据有效期截止后自然消失，在特殊应用场景解决了保密性和传输的矛盾。

目前这项技术还仅仅存在于实验室中，不过这项技术诞生于中国复旦大学，看来中国研发已经看齐世界水平。